兩大半導體巨頭同時瞄準NAND領域 存儲器概念股一覽
　　據媒體報道，存儲器兩大巨頭三星、SK海力士近日瞄準NAND Fla 事業，展開布局投資。
　　據韓媒消息，三星平澤園區P2，日前開始執行NAND產線投資。另外，三星西安NAND廠二期總約150億美元投資，第一階段70億美元的25個項目完工，第二階段80億美元投資，預計2021年完工。
　　三星正式啟動平澤P2的NAND產線建設，5月已著手建立無塵室，計劃2020年下半年投產。SK海力士近日同樣積極布局NAND事業，并且宣布將采取超品格戰略，即強化技術實力，扭轉目前市場劣勢，縮短落后差距。
　　另外，SK海力士日前訂立2020年發展愿景，包括在NAND領域展開快速追趕。SK海力士已進入堆疊128層NAND量產，目前正積極開發堆疊176層產品。
　　根據WSTS統計，存儲器占集成電路市場的36.1%，高于邏輯、模擬和微處理器份額。DRAM領域呈現寡頭壟斷格局，三星、海力士、美光共占比高達95%。
　　其中NAND Fla 占存儲器細分領域的44%，且行業集中度極高，目前產能主要集中在三星、SK海力士、美光等。業內人士表示，三星、SK海力士兩大巨頭積極布局投資，望驅動產業鏈公司受益。
　　國產替代迫在眉睫
　　DRAM領域呈現寡頭壟斷格局，存儲器國產化迫在眉睫。
　　6月20日，國家存儲器基地項目二期開工建設。國家存儲器基地項目于2016年12月30日開工，計劃分兩期建設3DNAND閃存芯片工廠，總投資240億美元。一期主要實現技術突破，建成10萬片/月產能，二期規劃產能20萬片/月，兩期項目達產后月產能共計30萬片。
　　國信證券(002736)歐陽仕華指出，存儲器產業從趨勢上看，DRAM和NAND均處于技術快速突破階段，預計下半年DRAM1Z制程以及NAND新代產品將會量產。國產內存顆粒生產的內存模組產品已經開始上市銷售，顯示國內存儲芯片產業正處于0到1的突破階段。
　　東莞證券魏紅梅認為，5G手機換機潮和IDC建設升級對存儲設備所形成的需求端具有較高確定性，有望帶動NAND Fla 需求迎來新一輪增長。
　　相關上市公司：
　　太極實業(600667)：公司子公司海太半導體從事半導體產品的封裝、封裝測試、模組裝配和模組測試等業務，為SK海力士提供服務。
　　新萊應材(300260)：公司半導體FAB廠以及工程公司客戶包括長江存儲、SK海力士 無錫 等。
　　興森科技(002436)：公司是國內IC載板龍頭企業，2018年9月正式通過三星認證正式通過三星認證，成為大陸本土唯一的三星存儲IC封裝基板供應商。
　　深科技(000021)： 國有控股的最大DRAM內存芯片封裝測試公司，DRAM封測年產能3億顆，公司在存儲器DRAM方面具備世界最新一代的產品封測技術。
　　紫光國微(002049)：存儲芯片業務主要是DRAM存儲芯片，2018年實現銷售收入6.45億元。
　　華天科技(002185)：具備LPDDR4存儲4疊層封裝等高端存儲器封裝技術，并與武漢新芯達成深度合作。實現了Nor Fla 、3D NAND、DRAM產品的批量封裝，客戶包括長江存儲。

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