據報道，韓國KAIST大學物理系的科研人員開發出可控厚度的黑磷隧道場效應晶體管（TFET），相對傳統半導體（CMOS）晶體管，該晶體管的功耗低10倍，待機功耗低10000倍。該研究小組表示，他們研發的黑磷TFET實現了創紀錄的高通態電流，這使得TFET能夠以比傳統CMOS晶體管更高的速度運行，并且功耗更低。
　　晶體管的不斷縮小一直是當前信息技術成功發展的關鍵。然而，隨著摩爾定律因功耗增加而達到極限，迫切需要開發新的替代晶體管設計。業內人士表示，黑磷晶體管已更快的運行速度和更低的功耗，可以取代傳統的CMOS晶體管。特別是，他們解決了晶體管運行性能和功耗關系的兩難問題，為擴展摩爾定律鋪平了道路。
　　相關上市公司：
　　興發集團(600141)：我國最大的磷礦資源企業。公司控股子公司中科黑磷與中科院先成立聯合實驗室，進行二維黑磷的大規模制備及應用，已在芯片制造、提高貴金屬催化效果、抗腫瘤靶向治療方面取得進展，已申報和正在申報的黑磷相關專利達15項；
　　國軒高科(002074)：擁有黑磷制備專利；
　　澄星股份(600078)：我國精細磷化工龍頭企業，已經獲得采礦權或探礦權的磷礦資源儲量超過1.26億噸。

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